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UMZ8.2NFH

更新时间: 2024-11-07 21:21:51
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罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 646K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5.37%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, UMD3, SC-70, 3 PIN

UMZ8.2NFH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.71其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:8.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.37%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

UMZ8.2NFH 数据手册

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UMZ8.2NFH  
Diodes  
AEC-Q101 Qualified  
Zener diode  
UMZ8.2NFH  
zApplication  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLead size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
(Anode common twin type)  
㪈㪅㪊  
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Each lead has s ame dimension  
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zFeatures  
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1) Small mold type. (UMD3)  
2) High reliability.  
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zStructure  
zStructure  
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Silicon epitaxial planer  
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zTaping dimensions (Unit : mm)  
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㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
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㪈㪅㪉㪌㫧㪇㪅㪈  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
Unit  
mW  
Power dissipation̈́*1ͅ  
Junction temperature  
Storage temperature  
200  
150  
-55 to +150  
P
Tj  
Tstg  
(*1)Total of 2 elements  
zElectrical characteristics (Ta=25qC)  
Parameter  
Conditions  
IZ=5mA  
Symbol  
VZ  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Zener voltage  
7.76  
-
-
-
-
8.64  
0.50  
30  
IR  
VR=5V  
Reverse current  
-
-
-
μA  
:
ZZ  
IZ=5mA  
IZ=0.5mA  
Dynamic impedance  
Rising operating resistance  
ZZk  
60  
:
Rev.B  
1/2  

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