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UMX1N

更新时间： 2024-11-29 08:24:03
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 460K
描述
Dual NPN General Purpose Transistors

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UMX1N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SOT-363, 6 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：3.5 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.15 W
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

UMX1N 数据手册

 浏览型号UMX1N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMX1N的Datasheet PDF文件第3页 
UMX1N  
Dual NPN General Purpose Transistors  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-363  
Two 2SC2412K chips in a package.  
Mounting possible with SOT-363 automatic  
mounting machines.  
Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
A
E
5
L
6
4
Mounting cost and area can be cut in half.  
B
EQUIVALENT CIRCUIT  
1
2
3
F
C
H
J
(3) (2) (1)  
K
D G  
Tr1  
Tr  
2
(4) (5) (6)  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
2.00  
2.15  
1.15  
0.90  
G
H
J
0.100 REF.  
0.525 REF.  
0.08  
0.15  
K
8°  
MARKING：X1  
E
F
1.20  
0.15  
1.40  
0.35  
L
0.650 TYP.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
IC  
60  
V
V
50  
7
150  
V
Collector current  
mA  
mW  
℃
Collector Power dissipation  
Junction & Storage temperature  
PC  
150  
TJ, TSTG  
150, -55 ~ 150  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta = 25°C  
Min.  
Typ.  
Max.  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Unit  
Test Conditions  
60  
50  
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IC= 50A, IE=0  
V
IC= 1mA , IB= 0  
IE= 50A , IC= 0  
VCB= 60V, IE=0  
VEB= 7V, IC= 0  
-
V
-
0.1  
0.1  
560  
0.4  
A  
A  
Emitter cut-off current  
IEBO  
-
DC current gain  
hFE  
120  
-
VCE= 6V, IC= 1mA  
IC= 50mA, IB= 5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
V
VCE= 12V, IC= 2mA,  
f=100MHz  
Transition frequency  
fT  
-
-
180  
2.0  
-
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
3.5  
pF  
VCB= 12V, IE= 0, f=1MHz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
12-Jul-2010 Rev. A  
Page 1 of 3  
123

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