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UMX1N-TP-HF PDF预览

UMX1N-TP-HF

更新时间： 2024-10-30 15:56:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 388K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN,

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UMX1N-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

UMX1N-TP-HF 数据手册

 浏览型号UMX1N-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
UMX1N  
Micro Commercial Components  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Two 2SC2412K chip in a package  
Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines.  
Transistor elements are independent, eliminating interference.  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
•
•
•
Dual Transistors  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Absolute maximum ratings @ 25  
?
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
SOT-363  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
50  
V
V
7
V
G
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
150  
150  
150  
-55-150  
mA  
mW  
℃
C
B
PC  
TJ  
A
H
Tstg  
Storage Temperature  
℃
Electrical Characteristics @ 25  
?
Symbol  
V(BR)CBO  
Parameter  
Min  
Typ  
---  
Max  
---  
Unit  
Vdc  
M
K
Collector-base Breakdown Voltage  
(IC=50uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
60  
50  
7
J
D
L
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Emitter-base Breakdown Voltage  
(IE=50uAdc, IC=0)  
---  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=7Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
hFE(1)  
VCE(sat)  
fT  
120  
---  
560  
0.4  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
---  
---  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
---  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
Transition Frequency  
180  
2.0  
(VCE=12Vdc, IC=2mAdc,f=100MHz)  
Collector output capacitance  
(VCB=12Vdc, IE=0,f=1.0MHz)  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
Cob  
---  
3.5  
M
Equivalent circuit  
(3) (2) (1)  
Tr1  
Tr2  
(4) (5) (6)  
Marking :X1  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: B  
2031/01/01  
12

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与UMX1N-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMX1TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMX1TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMX2 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
UMX-2020 AGILENT

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 		Double Balanced Mixer, 10MHz Min, 2000MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max
UMX2101A MICROSEMI

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 		Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
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