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UMX1N-TP

更新时间： 2024-11-29 15:56:03

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	388K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN,

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UMX1N-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

UMX1N-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

UMX1N

Micro Commercial Components

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Two 2SC2412K chip in a package

Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines.

Transistor elements are independent, eliminating interference.

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

•

Dual Transistors

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Absolute maximum ratings @ 25

Symbol

Parameter

Value

Unit

SOT-363

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

150

-55-150

℃

P_C

T_J

T_stg

Storage Temperature

℃

Electrical Characteristics @ 25

Symbol

V_(BR)CBO

Parameter

Min

Typ

---

Max

---

Unit

Vdc

Collector-base Breakdown Voltage

(I_C=50uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

---

Vdc

(I_C=1mAdc, I_B=0)

Emitter-base Breakdown Voltage

(I_E=50uAdc, I_C=0)

---

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

---

0.1

uAdc

DIMENSIONS

INCHES

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=7Vdc, I_C=0)

DC Current Gain

(I_C=1.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=50mAdc, I_B=5mAdc)

DIM

MIN

.006

.045

.085

MAX

.014

.053

.096

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

h_FE(1)

V_CE(sat)

f_T

120

---

560

0.4

---

Vdc

MHz

.026

0.65Nominal

---

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

---

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

Transition Frequency

180

2.0

(V_CE=12Vdc, I_C=2mAdc,f=100MHz)

Collector output capacitance

(V_CB=12Vdc, I_E=0,f=1.0MHz)

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

C_ob

---

3.5

Equivalent circuit

(3) (2) (1)

Tr1

Tr2

(4) (5) (6)

Marking :X1

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2031/01/01

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与UMX1N-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UMX1N-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN,
UMX1TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMX1TR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMX2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SO
UMX-2020	AGILENT	获取价格	Double Balanced Mixer, 10MHz Min, 2000MHz Max, 9dB Conversion Loss-Max
UMX2101A	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
UMX2101B	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
UMX2101C	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-1
UMX2101CR	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-1
UMX2101D	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 100V V(BR), Silicon

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