UMT1N-TP

更新时间： 2024-10-14 08:24:11

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	283K
描述
Dual Transistors

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UMT1N-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.11
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

UMT1N-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

UMT1N

Micro Commercial Components

Features

xꢀ Two 2SA1037AK chips in a package

xꢀ Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines.

xꢀ Transistor elements are independent, eliminating interference.

Dual Transistors

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Marking:T1

SOT-363

Mechanical Data

xꢀ Case: SOT-363, Molded Plastic

xꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ

Maximum Ratings @@ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Value

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Current

-50

-60

Vdc

-6.0

Vdc

-150

mAdc

Power Dissipation

150

P_d

DIMENSIONS

INCHES

T_J, T_STG

Operating & Storage Temperature

-55~+150

DIM

MIN

.006

.045

.085

MAX

.014

.053

.096

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

---

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

www.mccsemi.com

Revision: 1

2010/01/20

1 of 4

12 3 4

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UMT1N-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FFB3906	ONSEMI	功能相似	PNP 多芯片通用放大器
SMBT3906S	INFINEON	功能相似	PNP Silicon Switching Transistor Array

与UMT1N-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UMT1N-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, HALOGE
UMT1TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
UMT1TN	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
UMT1TR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
UMT1V100MDD	NICHICON	获取价格	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
UMT1V100MDD1TE	NICHICON	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF
UMT1V100MDD1TP	NICHICON	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF
UMT1V100MDT	NICHICON	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF,
UMT1V100MDT1TD	NICHICON	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF,
UMT1V101MDD	NICHICON	获取价格	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS

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