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UMT1TN

更新时间: 2024-10-31 07:46:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UM6, 6 PIN

UMT1TN 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UMT1TN 数据手册

 浏览型号UMT1TN的Datasheet PDF文件第2页 

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMT1TR ROHM

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
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