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UMB6NTR

更新时间： 2024-09-15 13:15:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-88, 6 PIN

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UMB6NTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.36
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

UMB6NTR 数据手册

  
EMB6 / UMB6N  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMB6 / UMB6N  
!External dimensions (Units : mm)  
!Feature  
1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT package.  
EMB6  
( )  
4
( )  
5
( )  
6
( )  
3
( )  
2
( )  
1
1.2  
1.6  
!Equivalent circuit  
EMB6 / UMB6N  
(3)  
(2)  
(1)  
Each lead has same dimensions  
R1  
ROHM : EMT6  
UMB6N  
R2  
R
2
R1  
(4) (5)  
(6)  
!Package, marking, and packaging specifications  
1.25  
2.1  
Type  
EMB6  
EMT6  
B6  
UMB6N  
UMT6  
B6  
Package  
Marking  
0.1Min.  
Code  
T2R  
TR  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Supply voltage  
VCC  
−50  
−40  
10  
50  
Input voltage  
V
IN  
V
I
O
mA  
mW  
°C  
Output current  
Pd  
Power dissipation  
Junction temperature  
150(TOTAL)  
150  
∗1  
Tj  
Storage temperature  
Tstg  
−55~  
+150  
°C  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
−
Max.  
−0.5  
−
Conditions  
Unit  
V
I (off)  
−
−3.0  
−
−
−
V
CC=−5V, I  
=−0.3V, I  
=−10mA, I  
=−5V  
CC=−50V, V  
=−5mA, V =−5V  
O
=−100µA  
Input voltage  
V
VI (on)  
V
O
O
=−2mA  
Output voltage  
Input current  
VO (on)  
−0.1  
−
−
−0.3  
−0.18  
−0.5  
−
61.1  
1.2  
V
mA  
µA  
−
kΩ  
−
I
O
I
=−0.5mA  
I
I
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O (off)  
I
=0V  
G
I
68  
32.9  
0.8  
−
−
I
O
O
R1  
47  
1.0  
250  
−
−
R2  
/ R1  
Transition frequency  
f
T
−
MHz  
V
CE=−10V, I  
E
=5mA, f=100MHz  
∗
∗Transition frequency of the device.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMB6S CZSTARSEA

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 		MBS
UMB6TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO
UMB6TN ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO
UMB6TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO
UMB7 ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
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