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UM6001E

更新时间: 2024-10-14 13:15:11
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美高森美 - MICROSEMI PIN二极管
页数 文件大小 规格书
4页 219K
描述
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon,

UM6001E 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XAMW-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.13
应用:ATTENUATOR; SWITCHING最小击穿电压:100 V
配置:SINGLE最大二极管电容:0.5 pF
标称二极管电容:0.5 pF二极管元件材料:SILICON
最大二极管正向电阻:1.7 Ω二极管电阻测试电流:100 mA
二极管电阻测试频率:100 MHz二极管类型:PIN DIODE
频带:ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:O-XAMW-F2
少数载流子标称寿命:1 µs元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified反向测试电压:100 V
子类别:PIN Diodes表面贴装:YES
技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式:FLAT
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

UM6001E 数据手册

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