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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | ATTENUATOR; SWITCHING |
| 最小击穿电压： | 1000 V | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 0.5 pF | 标称二极管电容： | 0.5 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 最大二极管正向电阻： | 1.7 Ω |
| 二极管电阻测试电流： | 100 mA | 二极管电阻测试频率： | 100 MHz |
| 二极管类型： | PIN DIODE | 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | O-XEMW-N2 | 少数载流子标称寿命： | 1 µs |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向测试电压： | 100 V | 子类别： | PIN Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UM6010B | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6010C | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6010CR | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6010D | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
|
| UM6010DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon |
|
| UM6010E | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6010SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
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| UM6014 | UNITPOWER |
获取价格 |
N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs |
|
| UM6015 | UNITPOWER |
获取价格 |
P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs |
|
| UM6016 | UNITPOWER |
获取价格 |
N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs |
|
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