是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.1 |
应用: | ATTENUATOR; SWITCHING | 最小击穿电压: | 200 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
最大二极管电容: | 0.5 pF | 标称二极管电容: | 0.5 pF |
二极管元件材料: | SILICON | 最大二极管正向电阻: | 1.7 Ω |
二极管电阻测试电流: | 100 mA | 二极管电阻测试频率: | 100 MHz |
二极管类型: | PIN DIODE | 频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
少数载流子标称寿命: | 1 µs | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 反向测试电压: | 100 V |
子类别: | PIN Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UM6002C | MICROSEMI |
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Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, | |
UM6002CR | MICROSEMI |
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Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, | |
UM6002D | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, | |
UM6002E | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
UM6002SM | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, | |
UM6002SME3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, | |
UM6003 | UNITPOWER |
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P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs | |
UM6004 | UNITPOWER |
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N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs | |
UM6004E | MICROSEMI |
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Diode, | |
UM6006 | UNITPOWER |
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N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs |