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UD1006FR_12

更新时间: 2024-11-04 12:22:51
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三洋 - SANYO 二极管开关
页数 文件大小 规格书
5页 306K
描述
Diffused Junction Silicon Diode Low VF Switching Diode

UD1006FR_12 数据手册

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Ordering number : ENA1745A  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
Diffused Junction Silicon Diode  
UD1006FR  
Low V Switching Diode  
F
Features  
V
=600V  
V =1.3V max (I =10A)  
F F  
Halogen free compliance  
RRM  
t =60ns(typ) (I =0.5A, I =1A)  
rr  
F
R
Specications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage  
Average Output Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
600  
600  
10  
RRM  
V
V
RSM  
50Hz resistive load, Sine wave Tc=79°C  
Tc=25°C (SANYOs ideal heat dissipation condition) Package limited  
Sine wave 10ms 1pulse  
A
I
I
I
O
R.M.S Forward Current  
(RMS)  
18  
A
F
Surge Forward Current  
120  
150  
A
FSM  
Junction Temperature  
Tj  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Tstg  
--55 to +150  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Product & Package Information  
• Package  
: TO-220F-2FS  
7532-001  
• JEITA, JEDEC  
: SC-67  
• Minimum Packing Quantity : 50pcs./magazine  
4.7  
10.16  
3.18  
UD1006FR-H  
2.54  
Marking  
UD1006  
LOT No.  
FR  
1.28  
2.76  
*
1.47 MAX  
0.8  
1
2
0.5  
Electrical Connection  
: This part is not a metal  
but a resin  
*
2
5.08  
1 : Cathode  
2 : Anode  
SANYO : TO-220F-2FS  
1
http://www.sanyosemi.com/en/network/  
91212 TKIM/51910SA TKIM TC-00002308 No. A1745-1/5  

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