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U631H256XSK25

更新时间： 2024-11-07 14:45:23

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	225K
描述
32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, UUC35, DIE-35

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U631H256XSK25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	DIE,
针数：	35	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.72	最长访问时间：	25 ns
JESD-30 代码：	R-XUUC-N35	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	35	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

U631H256XSK25 数据手册

Obsolete - Not Recommended for New Designs

U631H256XS

SoftStore 32K x 8 nvSRAM Die

Features

Description

• High-performance CMOS non-

The U631H256XS has two sepa- data integrity.

volatile static RAM 32768 x 8 bits rate modes of operation: SRAM Once a STORE cycle is initiated,

• 25, 35 and 45 ns Access Times

• 10, 15 and 20 ns Output Enable

Access Times

• Software STORE Initiation

• Automatic STORE Timing

• 10⁵STORE cycles to EEPROM

• 10 years data retention in

EEPROM

mode and nonvolatile mode. In further input or output are disabled

SRAM mode, the memory operates until the cycle is completed.

as an ordinary static RAM. In non- Because a sequence of addresses

volatile operation, data is transfer- is used for STORE initiation, it is

red in parallel from SRAM to important that no other read or

EEPROM or from EEPROM to write accesses intervene in the

SRAM. In this mode SRAM sequence or the sequence will be

functions are disabled.

aborted.

• Automatic RECALL on Power Up The U631H256XS is a fast static Internally, RECALL is a two step

• Software RECALL Initiation

• Unlimited RECALL cycles from

EEPROM

RAM (25, 35, 45 ns), with a nonvo- procedure. First, the SRAM data is

latile electrically erasable PROM cleared and second, the nonvola-

(EEPROM) element incorporated tile information is transferred into

in each static memory cell. The the SRAM cells.

SRAM can be read and written an The RECALL operation in no way

unlimited number of times, while alters the data in the EEPROM

independent nonvolatile data resi- cells. The nonvolatile data can be

des in EEPROM. Data transfers recalled an unlimited number of

from the SRAM to the EEPROM times.

• Unlimited Read and Write to

SRAM

• Single 5 V ± 10 % Operation

• Operating temperature range

0 to 70 °C

-40 to 85 °C

• QS 9000 Quality Standard

• ESD protection > 2000 V

(MIL STD 883C M3015.7-HBM)

(the STORE operation), or from the

EEPROM to the SRAM (the The chips are tested with a

RECALL operation) are initiated restricted wafer probe program

through software sequences.

at room temperature only. Unte-

The U631H256XS combines the sted parameters are marked with

high performance and ease of use a number sign (#).

of a fast SRAM with nonvolatile

Pad Configuration

Pad Description

A14

A13

VCC

A7 A12

Signal Name Signal Description

A11

A0 - A14

Address Inputs

Data In/Out

DQ0 - DQ7

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

Power Supply Voltage

Ground

A10

VCC

VSS

DQ7

DQ1 DQ2 VSS VCC DQ3 DQ4 DQ5 DQ6

DQ0

March 31, 2006

STK Control #ML0044

Rev 1.0

12 3 4 5 6 7...15

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与U631H256XSK25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U631H256XSK35	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, DIE-35
U631H256XSK45	CYPRESS	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, UUC35, DIE-35
U631H64	SIMTEK	获取价格	SoftStore 8K x 8 nvSRAM
U631H64BDC25	SIMTEK	获取价格	SoftStore 8K x 8 nvSRAM
U631H64BDC25G1	SIMTEK	获取价格	SoftStore 8K x 8 nvSRAM
U631H64BDC35	SIMTEK	获取价格	SoftStore 8K x 8 nvSRAM
U631H64BDC35G1	SIMTEK	获取价格	SoftStore 8K x 8 nvSRAM
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