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U62H256AS2A35

更新时间： 2024-11-05 20:13:11

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	162K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, PDSO28, 0.330 INCH, SOP2-28

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U62H256AS2A35 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.45	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.1 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.85 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.405 mm
Base Number Matches：	1

U62H256AS2A35 数据手册

U62H256A

Automotive Fast 32K x 8 SRAM

Features

Description

! 32768 x 8 bit static CMOS RAM

! 35 and 55 ns Access Time

! Common data inputs and

data outputs

The U62H256A is a static RAM

manufactured using a CMOS pro-

cess technology with the following

operating modes:

go High-Z until the new information

is available. The data outputs have

no preferred state. The Read cycle

is finished by the falling edge of W,

or by the rising edge of E, respec-

tively.

! Three-state outputs

! Typ. operating supply current

35 ns: 45 mA

- Read

- Write

- Standby

- Data Retention

The memory array is based on a

6-transistor cell.

Data retention is guaranteed down

to 2 V. With the exception of E, all

inputs consist of NOR gates, so

that no pull-up/pull-down resistors

are required.

55 ns: 30 mA

! Standby current < 50 µA at 125 °C The circuit is activated by the fal-

! TTL/CMOS-compatible

! Power supply voltage 5 V

! Operating temperature range

-40 °C to 85 °C

ling edge of E. The address and

control inputs open simultaneously.

According to the information of W

and G, the data inputs, or outputs,

are active. In a Read cycle, the

data outputs are activated by the

falling edge of G, afterwards the

data word will be available at the

outputs DQ0-DQ7. After the

address change, the data outputs

-40 °C to 125 °C

! QS 9000 Quality Standard

! ESD protection > 2000 V

(MIL STD 883C M3015.7)

! Latch-up immunity >100 mA

! Package: SOP28 (300/330 mil)

Pin Configuration

Pin Description

VCC

A14

A12

A13

Signal Name Signal Description

A0 - A14

Address Inputs

DQ0 - DQ7

Data In/Out

A11

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

Power Supply Voltage

Ground

VCC

SOP

A10

DQ7

VSS

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

Top View

April 20, 2004

12 3 4 5 6 7...10

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与U62H256AS2A35相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U62H256AS2A35G1	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, LEAD FREE, SOP2-28
U62H256AS2A35G1	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM
U62H256AS2A35LL	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM
U62H256AS2A35LLG1	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM
U62H256AS2A55	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM
U62H256AS2A55	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP2-28
U62H256AS2A55G1	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM
U62H256AS2A55LL	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM
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U62H256AS2K35	ZMD	获取价格	AUTOMOTIVE FAST 32K X 8 SRAM

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