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TSMG3700-GS18

更新时间： 2024-11-30 21:18:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		半导体
页数	文件大小	规格书
7页	192K
描述
Infrared LED, 850nm

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TSMG3700-GS18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大正向电流：	0.1 A	最大正向电压：	1.8 V
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值波长：	850 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAlAs	光谱带宽：	4e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	视角：	120 deg
Base Number Matches：	1

TSMG3700-GS18 数据手册

TSMG3700

Vishay Semiconductors

VISHAY

GaAlAs DH Infrared Emitting Diode in SMT Package

Description

TSMG3700 is a high speed infrared emitting diode in

GaAlAs double hetero (DH) technology in a miniature

PLCC-2 SMD package.

DH technology combines high speed with high radiant

power at wavelength of 850 nm.

Features

• High radiant power

• High speed

• High modulation band width

• Peak wavelength λ_p= 850 nm

• High reliability

Applications

Infrared source for CMOS cameras

• Low forward voltage

High speed IR data transmission

• Suitable for high pulse current application

• Wide angle of half intensity

• Compatible with automatic placement equipment

• EIA and ICE standard package

• Suitable for infrared, vapor phase and

wavesolder process

• 8 mm tape and reel standard: GS08

• Lead free component

Parts Table

Part

Ordering code

Remarks

TSMG3700

TSMG3700-GS08

TSMG3700-GS18

MOQ: 7500 pcs

MOQ: 8000 pcs

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

amb

Test condition

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

Forward current

100

200

Peak Forward Current

Surge Forward Current

Power Dissipation

t /T = 0.5, t = 100 µs

t = 100 µs

FSM

170

°C

Junction Temperature

Operating Temperature Range

100

- 40 to + 85

°C

amb

Document Number 81081

Rev. 1.4, 22-Jun-04

www.vishay.com

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