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TS788

更新时间： 2024-09-18 22:41:59
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三洋 - SANYO 晶体晶体管光电二极管放大器
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1页 14K
描述
N- channel Junction FET Electret Condenser Microphone

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TS788 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大漏极电流 (ID)：0.001 A
FET 技术：JUNCTIONJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TS788 数据手册

  
TS788  
N- channel Junction FET  
Electret Condenser Microphone  
TENTATIVE  
Features  
• Especially suited for use in electret condenser microphone.  
• TS788 is possible to make applied sets smaller and Slimmer.  
• Excellent voltage characteristics.  
• Excellent transient characteristics.  
• Adoption of FBET process.  
Absolute Maximum Ratings / Ta=25°C  
unit  
Gate to Drain Voltage  
Gate Current  
VGDO  
IG  
--2 0  
V
mA  
mA  
mW  
°C  
10  
Drain Current  
ID  
1
100  
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PD  
Tj  
150  
Tstg  
--55to+150  
°C  
Electrical Characteristics / Ta=25°C  
min  
typ  
max  
unit  
G-D Breakdown Voltage  
Cutoff Voltage  
V( BR)GDO IG =--100µA  
--20  
--0.2  
V
V
VGS(off)  
IDSS  
VDS=5V, ID=1µA  
--0.6  
--1.5  
Drain Current  
VDS=5V, VGS=0  
140❈  
0.4  
500❈  
µA  
mS  
pF  
pF  
Forward Transfer Admittance  
Input Capacitance  
| Yfs |  
Ciss  
VDS=5V, VGS=0, f=1kHz  
VDS=5V, VGS=0, f=1MHz  
VDS=5V, VGS=0, f=1MHz  
1.2  
4.1  
Reverce Transfer Capacitance  
Crss  
0.88  
❈ : The TS788 is classified by IDSS as follows : (unit : µA)  
E4  
E5  
E6  
320 to 500  
Marking  
IDSS  
140 to 240  
210 to 350  
[Ta=25°C, VCC=4.5V, RL=1kΩ, CIN=15pF, See specified Test Circuit.]  
min  
25  
typ  
max  
unit  
Voltage Gain  
GV  
VIN=10mV, f=1kHz  
VIN=10mV, f=1kHz  
VCC=4.5→1.5V  
f=1kHz to 110Hz  
f=1kHz  
--3.0  
--1.2  
dB  
dB  
Reduced Voltage Characteristics  
∆GVV  
--3.5  
--1.0  
700  
Frequency Characteristics  
Input Resistance  
∆GVf  
ZIN  
dB  
mΩ  
Ω
Output Resistance  
Zo  
f=1kHz  
Total Harmonic Distortion  
Output Noise Voltage  
THD  
VNO  
VIN=30mV, f=1kHz  
1.0  
%
VIN=0  
,
A curve  
--110  
dB  
Package Dimensions  
Test Circuit  
SMCP (unit : mm)  
Voltage Gain  
Frequency Characteristics  
Distortion  
0.3  
Reduced Voltage Characteristics  
0.1  
1kΩ  
0 to 0.1  
Vcc=4.5V  
Vcc=1.5V  
3
1
2
33uF  
15pF  
0.2  
+
1.0  
1.6  
1 : Drain  
2 : Source  
3 : Gate  
THD  
V
to  
VTVM  
B
1kΩ  
A
OSC  
Output Impedance  
SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Business Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10,1 Chome, Ueno, taito-ku, 110 JAPAN  
971128TM2fXHD  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TS7887B TOUCHSTONE

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