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TPS65295

更新时间： 2023-09-03 20:28:02

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德州仪器 - TI		双倍数据速率存储
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39页	1908K
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4.5V 至 18V 输入电压完整 DDR4 存储器电源解决方案

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TPS65295 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HQCCN,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	2.26	可调阈值：	NO
模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT	JESD-30 代码：	S-PQCC-N18
JESD-609代码：	e4	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	2	信道数量：	4
功能数量：	1	端子数量：	18
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	18 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	12 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

TPS65295 数据手册

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TPS65295

ZHCSJF4 –FEBRUARY 2019

TPS65295 完整 DDR4 存储器电源解决方案

1 特性

3 说明

•

同步降压转换器 (VDDQ)

TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为

DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合

JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。

TPS65295 将两个同步降压转换器（VPP 和 VDDQ）

与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪

声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合

了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™模式，此模式可在无

需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支

持陶瓷输出电容器。

–

输入电压范围：4.5V 至 18V

输出电压固定为 1.2V

D-CAP3™模式控制，用于快速瞬态响应

持续输出电流：8A

高级 Eco-mode™脉冲跳跃

集成 22mΩ 和 8.6mΩ R_DS(on)内部电源开关

600kHz 开关频率

内部软启动：1.6ms

逐周期过流保护

VTTREF 跟踪 ½ VDDQ 的精度优于 0.8%。VTT 可同

时提供 1A 持续灌电流和拉电流功能，而仅需 10μF 的

陶瓷输出电容。

锁存输出 OV 和 UV 保护

•

同步降压转换器 (VPP)

–

输入电压范围：3V 至 5.5V

输出电压固定为 2.5V

TPS65295 可提供丰富的功能和卓越的电源性能。它

支持灵活功耗状态控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处

于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和

VTTREF 进行放电。另外还提供 OVP、UVP、OCP、

UVLO 和热关断保护。此器件采用热增强型 18 引脚

HotRod™VQFN 封装，额定结温范围为 –40°C 至

125°C。

D-CAP3™模式控制，用于快速瞬态响应

持续输出电流：1A

高级 Eco-mode™脉冲跳跃

集成 150mΩ 和 120mΩ R_DS(on)内部电源开关

580kHz 开关频率

内部软启动：1ms

器件信息⁽¹⁾

逐周期过流保护

器件型号

TPS65295

封装

VQFN (18)

封装尺寸（标称值）

锁存输出 OV 和 UV 保护

3.00mm × 3.00mm

•

1A LDO (VTT)

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

–

1A 持续灌电流和拉电流

仅需 10μF 的陶瓷输出电容

在 S3 状态下支持高阻态输出

±30mV VTT 输出精度（直流 + 交流）

典型应用

L_VPP

VPP

SW_VPP

PVIN

Cout_VPP

VPPSNS

缓冲基准 (VTTREF)

PVIN_VPP

C-bst

L_VDDQ

BST

–

经缓冲的低噪声 ±10mA 功能

0.8% 输出精度

VCC_5V

VLDOIN

VDDQ

Cout_VDDQ

TPS65295

VDDQSNS

VDDQ

•

低静态电流：150µA

VTT

Cout_VTT

VTT

PGOOD

SLP_S4

电源正常指示器

VTTSNS

VTT_REF

Cout_VTTREF

输出放电功能

VTTREF

VTT_CNTL

AGND

加电和断电排序控制

PGND_VPP

PGND

非锁存 OT 和 UVLO 保护

18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod™VQFN 封装

2 应用

•

DDR4 存储器电源

笔记本电脑、台式机和服务器

超极本、平板电脑

单板计算机、模块化计算机

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSDK5

12 3 4 5 6 7...39

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