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TPS51200-EP

更新时间: 2023-09-03 20:33:49
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 双倍数据速率稳压器
页数 文件大小 规格书
37页 1288K
描述
灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

TPS51200-EP 数据手册

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TPS51200-EP  
ZHCSF57 JUNE 2016  
TPS51200-EP /DDR 终端稳压器  
1 特性  
2 应用范围  
1
输入电压:支持 2.5V 3.3V 电源轨  
VLDOIN 电压范围:1.1V 3.5V  
用于 DDRDDR2DDR3、低功耗 DDR3 和  
DDR4 的存储器终端稳压器  
笔记本、台式机和服务器  
电信和数据通信  
具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器  
所需最小输出电容为 20μF(通常为 3 × 10μF  
MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)  
基站  
用于监视输出稳压的 PGOOD  
EN 输入  
液晶 (LCD) 电视和等离子 (PDP) 电视  
复印机和打印机  
REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输  
入跟踪  
机顶盒  
3 说明  
远程感测 (VOSNS)  
TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速  
(DDR) 终端稳压器,专用于空间问题是重要考量因  
素的低输入电压、低成本、低噪声系统。  
±10mA 缓冲基准 (REFOUT)  
内置软启动,欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)  
热关断  
符合 DDR DDR2 JEDEC 规范  
支持 DDR3、低功耗 DDR3 DDR4 VTT 应用  
TPS51200-EP 能够保持快速瞬态响应,最低仅需  
20μF 输出电容。TPS51200-EP 支持远程感测功能并  
且可满足 DDRDDR2DDR3、低功耗 DDR3 和  
DDR4 VTT 总线的所有电源要求。  
带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线  
(VSON) 封装  
支持国防、航天和医疗 应用  
此外,TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号  
监测输出稳压,提供一个 EN 信号在 S3(挂起至  
RA4M)期间针对 DDR 进行 VTT 放电。  
受控基线  
一个组装和测试场所  
一个制造场所  
支持军用温度范围(-55°C 125°C)  
延长的产品使用寿命周期  
延长的产品变更通知  
产品可追溯性  
TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚  
超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装,无铅且绿色环  
保。其额定工作温度范围为 -55°C +125°C。  
器件信息(1)  
器件型号  
封装  
VSON (10)  
封装尺寸(标称值)  
TPS51200-EP  
3.00mm x 3.00mm  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
简化的 DDR 应用  
1
REFIN  
VIN 10  
3.3 VIN  
VDDQ  
TPS51200  
VLDOIN  
VTT  
2
3
4
5
VLDOIN PGOOD  
9
8
7
6
PGOOD  
VO  
GND  
EN  
PGND  
SLP_S3  
VTTREF  
VOSNS REFOUT  
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLUSA48  
 
 
 

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