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TPS51216-EP

更新时间： 2024-09-30 11:13:27
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德州仪器 - TI 双倍数据速率控制器存储
页数 文件大小 规格书
37页 1979K
描述
增强型产品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压控制器

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TPS51216-EP 数据手册

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TPS51216-EP  
ZHCSQC2A –NOVEMBER 2015 –REVISED JULY 2022  
TPS51216-EP 具有同步降压控制器、2A LDO 和缓冲基准的完整DDR2、DDR3  
和DDR3L 存储器电源解决方案  
1 特性  
3 说明  
• 同步降压控制器(VDDQ)  
TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、  
DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同  
步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟  
踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。  
TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz  
频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF  
跟踪VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/  
拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容  
器。此外，还提供专用的LDO 电源输入。  
– 转换电压范围：3 至28 V  
– 输出电压范围：0.7 至1.8 V  
– 0.8% VREF 精度  
– D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应  
– 可选300kHz/400kHz 开关频率  
– 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率  
– 支持S4/S5 状态下的软关闭  
– OCL/OVP/UVP/UVLO 保护  
– 电源正常输出  
TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源  
性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状  
态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和  
VTTREF 进行放电（软关闭）。  
• 2A LDO (VTT)、缓冲基准(VTTREF)  
– 2A（峰值）灌电流和拉电流  
– 只需10μF 陶瓷输出电容  
– 经缓冲的低噪声10mA VTTREF 输出  
– 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度  
– 在S3 下支持高阻抗，在S4/S5 下支持软关闭  
• 热关断  
器件信息  
器件型号(1)  
封装尺寸（标称值）  
封装  
TPS51216-EP  
WQFN (20)  
3.00mm × 3.00mm  
• 20 引脚3mm × 3mm WQFN 封装  
• 支持国防、航天和医疗应用  
– 受控基线  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
VIN  
– 一个组装/测试基地  
– 一个制造基地  
– 支持军用（-55°C 至125°C）温度范围，1  
– 延长了产品生命周期  
– 延长了产品变更通知  
5VIN  
TPS51216  
PGND  
VBST 15  
12 V5IN  
VDDQ  
DRVH 14  
S3  
S5  
17 S3  
16 S5  
SW 13  
PGND  
– 产品可追溯性  
DRVL 11  
PGND 10  
6
8
7
VREF  
2 应用  
PGOOD 20  
Powergood  
REFIN  
GND  
VDDQSNS  
VLDOIN  
VTT  
9
2
3
1
• DDR2/DDR3/DDR3L 存储器电源  
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和HSTL 终端  
VTT  
19 MODE  
18 TRIP  
VTTSNS  
VTTGND  
VTTREF  
4
5
VTTREF  
PGND  
AGND  
UDG-10138  
AGND  
应用示意图  
1
提供额外的温度范围- 请联系工厂  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSCA7  
 
 
 
 
 
1234567...37

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