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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPD62A18 | STMICROELECTRONICS |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,82V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPD62B12 | ETC |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
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| TPD62B18 | STMICROELECTRONICS |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,75V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPD65R1K2C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R280D | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R2K2C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R2K7C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R360M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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| TPD65R450CFD | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R4K3C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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