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| TPD62B18 | STMICROELECTRONICS |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,75V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPD65R1K2C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R280D | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R2K2C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R2K7C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R360M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |
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| TPD65R450CFD | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R4K3C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 |
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| TPD65R520D | WUXI UNIGROUP |
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| TPD65R600C | WUXI UNIGROUP |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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