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TPD1E10B09-Q1

更新时间： 2024-11-24 11:14:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
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22页 721K
描述
采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管

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TPD1E10B09-Q1 数据手册

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TPD1E10B09-Q1  
ZHCSFI9A –AUGUST 2016–REVISED SEPTEMBER 2016  
TPD1E10B09-Q1 采用 0402 封装、电容为 10pF 且击穿电压为 9V 的单通  
道静电放电 (ESD)  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
符合 AEC-Q101  
IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护  
TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 工业标准  
封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极  
管。该 TVS 保护二极管便于将元件安装到空间受限的  
应用中 ，并 具有 较低的 RDYN 和较高的 IEC 额定值。  
TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC  
61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平，可以提供  
±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可  
轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显  
著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度  
较低的环境下，电压可超过 20kV。  
–
–
±20kV 接触放电  
±20kV 气隙放电  
•
•
ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护  
–
–
±8kV 接触放电  
±15kV 气隙放电  
IEC 61000-4-5 浪涌保护  
4.5A (8/20µs)  
I/O 电容：10pF（典型值）  
DYN：0.5Ω（典型值）  
–
•
•
•
•
•
•
•
R
低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）  
可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD  
事件下的设计提供强有力的保护。该器件还 具有 一个  
10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储  
器接口或 GPIO。  
直流击穿电压：±9.5V（最小值）  
超低泄漏电流：100nA（最大值）  
钳位电压：13V（IPP = 1A 时的典型值）  
工业温度范围：-40°C 至 +125°C  
节省空间的 0402 封装  
该器件还具有一款非汽车类应用型  
号：TPD1E10B09。  
2 应用  
器件信息(1)  
•
终端设备：  
–
–
–
–
–
–
–
音响主机  
器件型号  
TPD1E10B09-Q1  
TPD1E10B09(2)  
封装  
X1SON (2)  
X1SON (2)  
封装尺寸（标称值）  
0.60mm x 1.00mm  
0.60mm x 1.00mm  
高级音频设备  
外部放大器  
车身控制模块  
网关  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
(2) 该器件不属于 TPD1E10B09-Q1 数据表，有关所有电气参数和  
器件特性的信息，请参见 TPD1E10B09。  
车载信息服务系统  
摄像机模块  
•
接口：  
–
–
–
–
音频线路  
按钮  
存储器接口  
通用输入/输出 (GPIO)  
应用电路原理图  
IO Line 1  
IO Line 2  
Connector  
1
2
1
ESD Sensitive Device  
(Source of ESD)  
2
GND Line  
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLVSDN8  
 
 
 
 
 
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与TPD1E10B09-Q1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPD1E10B09QDPYRQ1 TI

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 		采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管 | DPY
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 		采用 0402 封装、具有 6A 8/20us 浪涌和低钳位的 1pF、±3.6V、±30
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