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TPD1S514-1YZR

更新时间： 2024-11-24 11:12:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		接口集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	1900K
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USB 充电器、过压、浪涌和 ESD 保护 \| YZ \| 12 \| -40 to 85

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TPD1S514-1YZR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DSBGA-12
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.59	Samacsys Description：	USB Charger Overvoltage Surge and ESD Protection
接口集成电路类型：	INTERFACE CIRCUIT	JESD-30 代码：	R-PBGA-B12
JESD-609代码：	e1	长度：	1.99 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	12	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	座面最大高度：	0.625 mm
最大供电电压：	5.9 V	最小供电电压：	3.5 V
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	1.29 mm
Base Number Matches：	1

TPD1S514-1YZR 数据手册

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TPD1S514x

ZHCSCE8F –APRIL 2014–REVISED MAY 2019

适用于 V_BUS引脚的 TPD1S514x 系列 USB 充电器过压、浪涌和 ESD 保护

1 特性

3 说明

•

在 V_{BUS_CON}

TPD1S514 系列包含适用于 5V、9V 或 12V USB

高达 30V 直流时提供过压保护

_BUS线路或其他电源总线的单芯片保护解决方案。此

双向 nFET 开关在保护内部系统电路不受任何

_{BUS_CON}引脚上过压情况影响的同时，可确保充电和

•

精密 OVP（容差小于 ± 1%）

低 R_ONnFET 开关支持主机和充电模式

专用 V_{BUS_POWER}引脚可在电池耗尽情况下提供灵

活的加电选项

主机模式下的安全电流流量。在 V_{BUS_CON}引脚上，这

款器件能够处理高达 30V 直流电压的过压保护。在

EN 引脚切换至低位后，TPD1S514 系列中的任何器件

均会在通过软启动延迟打开 nFET 之前等待 20ms。

•

针对 V_BUS线路的瞬态保护：

–

IEC 61000-4-2 接触放电 ±15kV

IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV

IEC 61000-4-5 开路电压 100V

TPD1S514 系列的典型应用接口是 USB 连接器中的

V_BUS线路，该连接器通常用于手机、平板电脑、电子

–

精密钳位电路将 V_{BUS_SYS}电压限制为小于

书和便携式媒体播放器中。TPD1S514 系列还可应用

于任何使用 5V、9V、或 12V 电源轨接口的系统中。

V_OVP

•

适应 USB 涌入电流

热关断 (TSD) 特性

器件信息⁽¹⁾

器件名称

封装

封装尺寸（标称值）

2 应用

TPD1S514x

WCSP (12)

1.29mm × 1.99mm

•

手机

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

平板电脑

电子书

空白

便携式媒体播放器

5V、9V 和 12V 电源轨

空白

TPD1S514 系列电路保护方案

TPD1S514 系列方框图

USB Port

PMIC/System

TPD1S514x

V_BUS

D–

V_{BUS_CON}

V_{BUS_SYS}

V_{BUS_POWER}

V_IN

V_{BUS_CON}

V_OUT

LDO

POR

Oscillator

V_{BUS_POWER}

Q-Pump

Gate Drive

Surge

Clamp

D+

GND

V_{BUS_SYS}

TSD

GND

Reference

EN Buffer

Digital

Core

GND

OVP

V_REF

TPD4E110

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLVSCF6

12 3 4 5 6 7...26

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与TPD1S514-1YZR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TPD1S514-3YZR	TI	获取价格	USB 充电器、过压、浪涌和 ESD 保护 \| YZ \| 12 \| -40 to 85
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