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TPD1S414

更新时间： 2024-11-20 11:10:55
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德州仪器 - TI 开关
页数 文件大小 规格书
15页 1368K
描述
具有 ESD 功能的 USB 充电器过压保护开关

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TPD1S414 数据手册

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TPD1S414  
www.ti.com.cn  
ZHCSBQ5A –OCTOBER 2013–REVISED OCTOBER 2013  
支持静电放电 (ESD) ，用于 VBUS_CON 引脚的 USB 充电器过压保护 (OVP)  
开关  
查询样品: TPD1S414  
1
特性  
应用范围  
•
•
•
VBUS_CON 上的输入直流电压保护高达 30V  
低 RON nFET 开关支持主机和充电模式  
•
•
•
手机  
电子书  
耐受高达 100V 开路浪涌电压（按照 IEC61000-4-5  
标准）  
便携式媒体播放器  
说明  
•
•
内部 15ms 启动延迟  
TPD1S414 是一款用于 USB 连接器的 VBUS 线路保护  
的单芯片解决方案。 此双向 nFET 开关在保护内部系  
统电路不受任何 VBUS_CON 引脚上过压情况影响的同  
时，可确保充电和主机模式下的安全电流流量。 在  
内部 30ms 软启动延迟以最大限度地减小 USB 涌  
入电流  
•
ESD 性能 VBUS_CON  
–
–
±15kV 接触放电 (IEC 61000-4-2)  
±15kV 空气间隙放电 (IEC 61000-4-2)  
VBUS_CON 引脚上，这个器件能够处理高达 30V 超压保  
•
•
•
集成输入启用和状态输出信号  
热关断特性  
护。在 EN 引脚切换为低电平时，TPD1S414 在接通  
nFET 之前通过一个软启动延迟来等待 20ms。 ACK  
引脚表示 FET 完全接通。  
节省空间的晶圆芯片级 (WCSP) 封装  
(1.4mm x 1.89mm)  
YZ PACKAGE  
(TOP VIEW - SEE THROUGH)  
GND  
GND  
VBUS_SYS  
VBUS_SYS  
VBUS_CON  
VBUS_SYS  
VBUS_CON  
VBUS_CON  
GND  
GND  
ACK  
EN  
12-YZ Pin Mapping  
1
2
3
4
A
B
C
GND  
ACK  
EN  
VBUS_SYS  
VBUS_SYS  
VBUS_CON  
VBUS_SYS  
VBUS_CON  
VBUS_CON  
GND  
GND  
GND  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
English Data Sheet: SLLSEH9  
 
1234567...15

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