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TPD1E10B09QDPYRQ1

更新时间： 2024-11-24 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
22页	721K
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采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管 \| DPY \| 2 \| -40 to 125

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TPD1E10B09QDPYRQ1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.73
最小击穿电压：	9.5 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-N2	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	90 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.162 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	9 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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TPD1E10B09-Q1

ZHCSFI9A –AUGUST 2016–REVISED SEPTEMBER 2016

TPD1E10B09-Q1 采用 0402 封装、电容为 10pF 且击穿电压为 9V 的单通

道静电放电 (ESD)

1 特性

3 说明

•

符合 AEC-Q101

IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护

TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 工业标准

封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极

管。该 TVS 保护二极管便于将元件安装到空间受限的

应用中，并具有较低的 R_DYN和较高的 IEC 额定值。

TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC

61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平，可以提供

±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可

轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显

著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度

较低的环境下，电压可超过 20kV。

–

±20kV 接触放电

±20kV 气隙放电

•

ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护

–

±8kV 接触放电

±15kV 气隙放电

IEC 61000-4-5 浪涌保护

4.5A (8/20µs)

I/O 电容：10pF（典型值）

_DYN：0.5Ω（典型值）

–

•

低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）

可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD

事件下的设计提供强有力的保护。该器件还具有一个

10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储

器接口或 GPIO。

直流击穿电压：±9.5V（最小值）

超低泄漏电流：100nA（最大值）

钳位电压：13V（I_PP= 1A 时的典型值）

工业温度范围：-40°C 至 +125°C

节省空间的 0402 封装

该器件还具有一款非汽车类应用型

号：TPD1E10B09。

2 应用

器件信息⁽¹⁾

•

终端设备：

–

音响主机

器件型号

TPD1E10B09-Q1

TPD1E10B09⁽²⁾

封装

X1SON (2)

封装尺寸（标称值）

0.60mm x 1.00mm

高级音频设备

外部放大器

车身控制模块

网关

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

(2) 该器件不属于 TPD1E10B09-Q1 数据表，有关所有电气参数和

器件特性的信息，请参见 TPD1E10B09。

车载信息服务系统

摄像机模块

•

接口：

–

音频线路

按钮

存储器接口

通用输入/输出 (GPIO)

应用电路原理图

IO Line 1

IO Line 2

Connector

ESD Sensitive Device

(Source of ESD)

GND Line

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intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLVSDN8

12 3 4 5 6 7...22

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与TPD1E10B09QDPYRQ1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPD1E1B04	TI	获取价格	采用 0402 封装、具有 6A 8/20us 浪涌和低钳位的 1pF、±3.6V、±30
TPD1E1B04DPYR	TI	获取价格	采用 0402 封装、具有 6A 8/20us 浪涌和低钳位的 1pF、±3.6V、±30
TPD1E1B04DPYT	TI	获取价格	采用 0402 封装、具有 6A 8/20us 浪涌和低钳位的 1pF、±3.6V、±30
TPD1E6B06	TI	获取价格	Single Channel ESD Protection Device in 0201 Package
TPD1E6B06_14	TI	获取价格	Single Channel ESD Protection Device in 0201 Package
TPD1E6B06_15	TI	获取价格	Single-Channel ESD Protection Diode in 0201 Package
TPD1E6B06DPLR	TI	获取价格	Single Channel ESD Protection Device in 0201 Package
TPD1E6B06DPLT	TI	获取价格	Single Channel ESD Protection Device in 0201 Package
TPD1S414	TI	获取价格	具有 ESD 功能的 USB 充电器过压保护开关
TPD1S414YZR	TI	获取价格	具有 ESD 功能的 USB 充电器过压保护开关 \| YZ \| 12 \| -40 to 8

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