5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> TP3022
TP3022 PDF预览

TP3022

更新时间： 2024-02-11 06:41:25
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
NPN SILICON UHF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

TP3022 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92压伸定律：A-LAW
滤波器：NOJESD-30 代码：R-XDIP-T24
JESD-609代码：e0线性编码：NOT AVAILABLE
功能数量：1端子数量：24
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：CERAMIC封装代码：DIP
封装等效代码：DIP24,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE子类别：Codecs
表面贴装：NO技术：CMOS
电信集成电路类型：PCM CODEC温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TP3022 数据手册

 浏览型号TP3022的Datasheet PDF文件第2页 
Order this document  
by TP3022B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The TP3022B is designed for common–emitter operation in the 900 MHz  
mobile radio band. Use of gold metallization and silicon diffused ballast  
resistors results in a medium power output/driver transistor with state–of–the–  
art ruggedness and reliability.  
•
Specified 26 Volts, 960 MHz Characteristics:  
Output Power = 15 Watts  
15 W, 960 MHz  
Minimum Gain = 8.5 dB  
NPN SILICON  
UHF POWER  
TRANSISTOR  
I
Q
= 50 mA  
•
Class AB Operation  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
29  
0.167  
Vdc  
C
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
200  
°C  
°C  
J
T
stg  
–65 to +150  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 319–07, STYLE 2  
Thermal Resistance, Junction to Case (1)  
R
6.0  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS (1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mA, R = 75 Ohms)  
V
40  
—
—
—
—
—
—
5.0  
—
Vdc  
mA  
Vdc  
mA  
(BR)CER  
C
BE  
Collector–Emitter Leakage  
(V = 26 V, R = 75 Ohms)  
I
CER  
CE BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc)  
C
V
3.5  
—
(BR)EBO  
Emitter–Base Leakage  
I
1.0  
EBO  
(V  
BE  
= 2.5 V)  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 500 mA, V  
C CE  
h
15  
—
—
100  
25  
—
FE  
= 10 V)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
C
17  
pF  
ob  
(V  
CB  
= 24 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
E
FUNCTIONAL TESTS  
Common–Emitter Amplifier Power Gain  
G
8.5  
45  
—
—
—
—
dB  
%
PE  
(V  
CE  
= 26 V, P = 15 W, f = 960 MHz, I = 50 mA)  
out Q  
Collector Efficiency  
(V = 26 V, P  
η
c
= 15 W, f = 960 MHz, I = 50 mA)  
CE out  
Q
NOTE:  
1. Thermal resistance is determined under specified RF operating condition.  
Motorola, Inc. 1994  
12

中文翻译

下载PDF

与TP3022相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP30-220 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		TRISILTM
TP30-220RL ETC

获取价格

 		TRISIL
TP3022A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | SOT-171
TP3022B MOTOROLA

获取价格

 		NPN SILICON UHF POWER TRANSISTOR
TP3022J TI

获取价格

 		IC,PCM CODEC,SINGLE,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC
TP3022J/A+ TI

获取价格

 		IC,PCM CODEC,SINGLE,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC
TP3023 MOTOROLA

获取价格

 		Transistor
TP3023J TI

获取价格

 		IC,PCM CODEC,SINGLE,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC
TP3023J NSC

获取价格

 		IC,PCM CODEC,SINGLE,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC
TP3023J/A+ TI

获取价格

 		IC,PCM CODEC,SINGLE,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

与TP3022相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证