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TP3032 PDF预览

TP3032

更新时间： 2024-02-29 04:30:40
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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TP3032 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F6
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：52.5 W
最大功率耗散 (Abs)：52 W最小功率增益 (Gp)：7.5 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP3032 数据手册

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by TP3032/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The TP3032 is designed for 26 volts, common emitter, 960 MHz base station  
amplifiers, for use in analog and digital systems.  
•
Specified 26 Volts, 960 MHz Characteristics  
Output Power — 21 Watts  
Gain — 7.5 dB min  
21 W, 960 MHz  
RF POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
Silicon Nitride Passivated  
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to  
Metal Migration  
•
•
Class AB Operation  
Circuit board photomaster available upon request by contacting  
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CER  
V
CBO  
V
EBO  
48  
Emitter–Base Voltage  
3.5  
4
Collector–Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
52.5  
0.3  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
CASE 319–07, STYLE 2  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (1)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
3.3  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 30 mA, R = 75 Ω)  
V
V
V
40  
3.5  
48  
—
—
—
—
—
—
—
—
8
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
(BR)CER  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5 mAdc)  
E
(BR)EBO  
(BR)CBO  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 30 mAdc)  
C
Collector–Emitter Leakage  
I
CER  
(V  
CE  
= 26 V, R = 75 Ω)  
BE  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I =1 Adc, V  
C CE  
h
FE  
15  
—
80  
—
= 10 Vdc)  
NOTE:  
1. Thermal resistance is determined under specified RF operating condition.  
(continued)  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP3034 MOTOROLA

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 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
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