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TP0610K-T1-GE3 PDF预览

TP0610K-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 19:54:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 218K
描述
TRANSISTOR 185 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

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TP0610K-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.1其他特性：ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.185 A最大漏极电流 (ID)：0.185 A
最大漏源导通电阻：6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP0610K-T1-GE3 数据手册

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TP0610K  
Vishay Siliconix  
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
VGS(th) (V)  
ID (mA)  
Definition  
•
•
•
•
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
High-Side Switching  
Low On-Resistance: 6  
Low Threshold: - 2 V (typ.)  
Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.)  
Low Input Capacitance: 20 pF (typ.)  
2000 V ESD Protection  
- 60  
6 at VGS = - 10 V  
- 1 to - 3  
- 185  
TO-236  
(SOT-23)  
Marking Code: 6Kwll  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
6K = Part Number Code for TP0610K  
w = Week Code  
ll = Lot Traceability  
G
S
1
2
APPLICATIONS  
3
D
•
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display,  
Memories, Transistors, etc.  
•
•
•
Battery Operated Systems  
Power Supply Converter Circuits  
Solid-State Relays  
Top View  
Ordering Information: TP0610K-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
TP0610K-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
BENEFITS  
•
•
•
•
•
Ease in Driving Switches  
Low Offset (Error) Voltage  
Low-Voltage Operation  
High-Speed Circuits  
Easily Driven without Buffer  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 60  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
TA = 25 °C  
- 185  
- 115  
- 800  
350  
Continuous Drain Currenta  
Pulsed Drain Currentb  
ID  
TA = 100 °C  
mA  
IDM  
PD  
TA = 25 °C  
Power Dissipationa  
mW  
TA = 100 °C  
140  
Maximum Junction-to-Ambienta  
350  
°C/W  
RthJA  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
Notes:  
a. Surface mounted on FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71411  
S10-1476-Rev. H, 05-Jul-10  
www.vishay.com  
1
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TP0610K-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TP0610K-T1-E3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
BSS84PH6327XTSA2 INFINEON

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84PH6433XTMA1 INFINEON

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP0610L VISHAY

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 		P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
TP0610L18 VISHAY

获取价格

 		180mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
TP0610L-18 TEMIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-18 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L18-2 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-1TA VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-1TR1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-2TA VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610LTA TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610L-TA VISHAY

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