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TP0101T PDF预览

TP0101T

更新时间： 2024-11-08 21:55:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 129K
描述
TP0101K vs. TP0101T Specification Comparison

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TP0101T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.23 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

TP0101T 数据手册

  
Specification Comparison  
Vishay Siliconix  
TP0101K vs. TP0101T  
Description: P-Channel,20-V (D-S) MOSFET, Low Threshold  
Package:  
Pin Out:  
SOT-23  
Identical  
Part Number Replacements:  
TP0101K-T1-E3 Replaces TP0101T-T1-E3  
TP0101K-T1-E3 Replaces TP0101T-T1  
Summary of Performance:  
The TP0101K is a technology upgrade with ESD protection to the original TP0101T. The ESD protection diodes on the gate  
increases Gate-Body Leakage; otherwise, there is little variation regarding performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
TP0101K  
TP0101T  
Unit  
Drain-Source Voltage  
-20  
-20  
V
Gate-Source Voltage  
+8  
+8  
VGS  
-0.58  
-0.46  
-0.6  
-0.48  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
ID  
A
-2  
-3  
IDM  
IS  
Continuous Source Current  
(MOSFET Diode Conduction)  
-0.3  
-0.6  
0.35  
0.22  
0.35  
0.22  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Power Dissipation  
W
PD  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient  
-55 to 150  
357  
-55 to 150  
357  
°C  
Tj & Tstg  
RthJA  
°C/W  
SPECIFICATIONS (TJ = 25OC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
TP0101K  
Typ  
TP0101T  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min  
Max  
Min  
Max  
Static  
Gate-Threshold Voltage  
-0.5  
-0.7  
-1.0  
+5000  
-1  
-0.5  
-0.9  
-1.5  
+100  
-1  
V
VGS(th)  
IGSS  
Gate-Body Leakage  
nA  
µA  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
-1.2  
-0.5  
-2.5  
-0.5  
VGS = -4.5 V  
GS = -2.5 V  
VGS= -4.5 V  
GS = -2.5 V  
On-State Drain Current  
A
ID(on)  
V
0.42  
0.64  
0.65  
0.85  
0.45  
0.69  
0.65  
0.85  
Drain-Source On-Resistance  
Ω
rDS(on)  
V
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
1300  
-0.9  
1300  
-0.9  
S
V
gfs  
-1.2  
-1.2  
VSD  
Dynamic  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Gate Resistance  
Qg  
Qgs  
Qgd  
Rg  
1400  
300  
250  
150  
2200  
2020  
180  
720  
NS  
3000  
nC  
Ω
Switchinga  
25  
30  
55  
38  
35  
45  
85  
60  
7
25  
19  
9
12  
35  
30  
15  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Time  
ns  
Turn-Off Time  
NS denotes not specified in original datasheet  
Document Number 74071  
11-May-05  
www.vishay.com  
1

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与TP0101T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP0101T-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
TP0101TS VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
TP0101TS TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
TP0101TST1 VISHAY

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 		1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN
TP0101TST1 TEMIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
TP0101TS-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
TP0101TS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
TP0101TST2 TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
TP0101TT1 VISHAY

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 		600mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN
TP0101T-T1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET

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