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TP0101TS

更新时间: 2024-11-25 20:01:51
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236,

TP0101TS 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65其他特性:LOW THRESHOLD
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:0.65 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TP0101TS 数据手册

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