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TN2124K1-G PDF预览

TN2124K1-G

更新时间： 2024-11-07 03:01:51
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超科 - SUPERTEX 晶体晶体管开关光电二极管PC
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5页 566K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

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TN2124K1-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.29
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：240 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：134 A
最大漏极电流 (ID)：0.134 A最大漏源导通电阻：15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TN2124K1-G 数据手册

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TN2124  
N-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FET  
Features  
General Description  
►
►
►
►
►
►
►
►
Free from secondary breakdown  
This low threshold, enhancement-mode (normally-off)  
transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s  
well-proven, silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and the high input impedance  
and positive temperature coefficient inherent in MOS devices.  
Characteristic of all MOS structures, this device is free  
from thermal runaway and thermally-induced secondary  
breakdown.  
Low power drive requirement  
Ease of paralleling  
Low CISS and fast switching speeds  
Excellent thermal stability  
Integral Source-Drain diode  
High input impedance and high gain  
Complementary N- and P-channel devices  
Applications  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide  
range of switching and amplifying applications where very  
low threshold voltage, high breakdown voltage, high input  
impedance, low input capacitance, and fast switching speeds  
are desired.  
► Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS  
► Solid state relays  
► Battery operated systems  
► Photo voltaic drives  
► Analog switches  
► General purpose line drivers  
► Telecom switches  
Pin Configuration  
Ordering Information  
RDS(ON) VGS(th)  
Package Option  
TO-236AB (SOT-23)  
TN±1±4K1-G  
BVDSS/BVDGS  
max  
(Ω)  
max  
(V)  
DRAIN  
(V)  
±42  
15  
±.2  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
SOURCE  
GATE  
TO-236AB (SOT-23) (K1)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
Product Marking  
Value  
BVDSS  
BVDGS  
W = Code for week sealed  
N1CW  
Gate-to-source voltage  
±±2V  
Operating and storage temperature  
Soldering temperature*  
-55OC to +152OC  
322OC  
TO-236AB (SOT-23) (K1)  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
* Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
12345

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TN2124K1-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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