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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> TN22-1500B
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TN22-1500B

更新时间： 2024-09-18 22:42:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
7页 161K
描述
STARTLIGHT(Application Specific Discretes A.S.D.⑩)

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TN22-1500B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.67
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：1.5 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：175 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.1 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：22 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：1800 A
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：2 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

TN22-1500B 数据手册

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TN22  
®
Application Specific Discretes  
A.S.D.™  
STARTLIGHT  
1
2, TAB  
FEATURES  
3
High clamping voltage structure (1200 - 1500V)  
Low gate triggering current for direct drive from  
line (< 1.5mA)  
TAB  
TAB  
High holding current (> 175mA), ensuring high  
striking energy.  
1
1
2
DESCRIPTION  
2
3
3
The TN22 has been specifically developed for use  
in electronic starter circuits. Use in conjunction  
with a sensitive SCR and a resistor, it provides  
high energy striking characteristics with low trig-  
gering power. Thanks to its electronic concept, this  
TN22 based starter offers high reliability levels and  
extended life time of the fluorescent tubelamps.  
DPAK  
(TN22-B)  
IPAK  
(TN22-H)  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
VDRM  
Parameter  
Value  
400  
2
Unit  
V
Repetitive peak off-state voltage  
Tj = 110°C  
Tc= 95°C  
IT(RMS)  
RMS on-state current  
A
Full sine ware (180° conduction angle)  
IT(AV)  
ITSM  
Mean on-state current  
Full sine ware (180° conduction angle)  
Tc= 95°C  
1.8  
A
A
Non repetitive surge peak on-state current  
(Tj initial = 25°C)  
tp = 8.3ms  
tp = 10ms  
tp = 10ms  
22  
20  
2
I2t  
I2t Value for fusing  
A2s  
dI/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
50  
A/µs  
IG = 5 mA  
dIG /dt = 70 mA/µs.  
Tstg  
Tj  
Storage and operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 110  
°C  
°C  
Tl  
Maximum lead temperature for soldering during 10s at  
4.5mm from case  
260  
October 2000 - Ed:1  
1/7  
1234567

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