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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCJ, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 地址总线宽度： | 16 | 边界扫描： | NO |
| 外部数据总线宽度： | JESD-30 代码： | S-PQCC-J44 | |
| 长度： | 16.5862 mm | 低功率模式： | NO |
| 区块数量： | 2 | 端子数量： | 44 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 16.5862 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS4500AN | TI |
获取价格 |
DRAM CONTROLLER, PDIP40 |
|
| TMS45160 | TI |
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262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
|
| TMS45160_08 | TI |
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262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
|
| TMS45160-10DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40 |
|
| TMS45160-10DZ | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDSO40 |
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| TMS45160-60DGE | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO40, TSOP-44/40 |
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| TMS45160-60DZ | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
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| TMS45160-70DZ | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
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| TMS45160-80DZ | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
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| TMS45160DZ-70 | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
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