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TMS416169P-80DZ PDF预览

TMS416169P-80DZ

更新时间： 2024-11-15 20:40:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 386K
描述
1MX16 EDO DRAM, 80ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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TMS416169P-80DZ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：80 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
长度：27.305 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ42,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：3.76 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

TMS416169P-80DZ 数据手册

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TMS416169, TMS418169  
1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS  
SMKS886C – MAY1995–REVISED MARCH 1996  
DZ PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 1048576 Words by 16 Bits  
Single 5-V Power Supply  
Performance Ranges:  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
V
V
SS  
CC  
ACCESS ACCESS ACCESS READ OR  
2
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
TIME  
TIME  
TIME  
EDO  
CYCLE  
MIN  
25 ns  
30 ns  
35 ns  
3
t
t
t
RAC  
CAC  
AA  
4
MAX  
’41x169/P-60 60 ns  
’41x169/P-70 70 ns  
’41x169/P-80 80 ns  
MAX  
15 ns  
18 ns  
20 ns  
MAX  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
5
6
V
V
CC  
SS  
7
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
Extended-Data-Out (EDO) Operation  
xCAS-Before-RAS (xCBR) Refresh  
RAS-Only Refresh  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
– 1024-Cycle Refresh in 16 ms  
(TMS418169)  
– 4096-Cycle Refresh in 64 ms  
(TMS416169)  
NC  
W
RAS  
3-State Unlatched Output  
†
A11  
A10  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
High-Reliability Plastic 42-Lead (DZ  
Suffix) 400-Mil-Wide Surface-Mount (SOJ)  
Package  
Operating Free-Air Temperature Range  
0°C to 70°C  
Texas Instruments Enhanced Performance  
†
A0  
A1  
A2  
A3  
V
V
SS  
CC  
Implanted CMOS (EPIC ) Process  
†
A10 and A11 are NC for TMS418169.  
description  
The TMS418169 and the TMS416169 are  
high-speed, 16777216-bit dynamic random-ac-  
cess memories (DRAMs) organized as 1048576  
words of 16 bits each. Both devices employ  
state-of-the-art EPIC technology for high perform-  
ance, reliability, and low power at low cost.  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A11  
DQ0–DQ15  
LCAS  
UCAS  
NC  
Address Inputs  
Data In/Data Out  
Lower Column-Address Strobe  
Upper Column-Address Strobe  
No Internal Connection  
Output Enable  
Row-Address Strobe  
5-V Supply  
Ground  
OE  
RAS  
These devices feature maximum RAS access  
timesof60ns, 70ns, and80ns. Alladdressesand  
data-in lines are latched on-chip to simplify  
system design. Data out is unlatched to allow  
greater system flexibility.  
V
V
W
CC  
SS  
Write Enable  
The TMS416169 and TMS418169 are offered in a 42-lead plastic surface-mount SOJ (DZ suffix) package. The  
package is characterized for operation from 0°C to 70°C.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
EPIC is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1996, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...26

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