是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 512 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.907 mm |
部门规模: | 64 | 最大待机电流: | 0.003 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS29F258-200NL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP28 | |
TMS29F258-20FML | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PQCC32 | |
TMS29F258-20JE4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-20JL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-20JL4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-20JQ | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-20JQ4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-20NL | TI |
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暂无描述 | |
TMS29F258-25 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES | |
TMS29F258-250 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |