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TMS29F258-200NL

更新时间: 2024-11-08 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 531K
描述
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP28

TMS29F258-200NL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:200 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:36.32 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:512端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
页面大小:64 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm部门规模:64
最大待机电流:0.003 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TMS29F258-200NL 数据手册

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