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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 部门规模： | 64 |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS29F256-20JE | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| TMS29F256-20JE4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| TMS29F256-20JL | TI |
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暂无描述 |
|
| TMS29F256-20JQ | TI |
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暂无描述 |
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| TMS29F256-20NL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP28 |
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| TMS29F256-25 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
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| TMS29F256-250 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F256-250FML | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| TMS29F256-250JE | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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| TMS29F256-250JL | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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