是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.59 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.907 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS27C040-12JE | TI |
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4 194 304-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP -40 to 85 | |
TMS27C040-12JL | TI |
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4 194 304-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP 0 to 70 | |
TMS27C040-15JE | TI |
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4 194 304-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP -40 to 85 | |
TMS27C040-15JL | TI |
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4 194 304-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP 0 to 70 | |
TMS27C040-8JE4 | TI |
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512KX8 UVPROM, 80ns, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32 | |
TMS27C040P-10FML | TI |
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512KX8 OTPROM, 100ns, PQCC32 | |
TMS27C128 | TI |
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131 072-BIT UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY | |
TMS27C128-100JL4 | TI |
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16KX8 UVPROM, 100ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS27C128-12FME | TI |
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131 072-BIT UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY | |
TMS27C128-12FME4 | TI |
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131 072-BIT UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY |