是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 150 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.2 mm | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMM27256BD-20 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27256BD-200 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27256BDI-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27256BDI-20 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512AD-17 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512AD-20 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512AD-25 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512AD-250 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512ADI-20 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512D-250 | TOSHIBA |
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IC,EPROM,64KX8,MOS,DIP,28PIN,CERAMIC |