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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.2 |
| 最长访问时间： | 200 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.2 mm | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMM27256BD-200 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27256BDI-15 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27256BDI-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27512AD-17 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27512AD-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27512AD-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27512AD-250 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27512ADI-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM |
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| TMM27512D-250 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,EPROM,64KX8,MOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| TMM-2-L-04-1 | AMPHENOL |
获取价格 |
TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT |
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