是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | WDIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.38 |
最长访问时间: | 250 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.2 mm |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMM27512AD-250 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512ADI-20 | TOSHIBA |
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IC 64K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM | |
TMM27512D-250 | TOSHIBA |
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IC,EPROM,64KX8,MOS,DIP,28PIN,CERAMIC | |
TMM-2-L-04-1 | AMPHENOL |
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TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT | |
TMM-2-L-06-1 | AMPHENOL |
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TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT | |
TMM-2-L-08-1 | AMPHENOL |
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TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT | |
TMM-2-L-10-1 | AMPHENOL |
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TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT | |
TMM2L103 | AMPHENOL |
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Board Connector | |
TMM-2-L-12-1 | AMPHENOL |
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TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT | |
TMM-2-L-14-1 | AMPHENOL |
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TMM SERIES SMT FEMALE STRAIGHT |