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TMM27512AD-250

更新时间: 2024-11-20 19:22:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 519K
描述
IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERDIP-28, Programmable ROM

TMM27512AD-250 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:CERDIP-28针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.61风险等级:5.39
最长访问时间:250 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.2 mm
子类别:EPROMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TMM27512AD-250 数据手册

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