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TM4100EAD9-80

更新时间： 2024-01-30 01:44:44
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 792K
描述
4MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIMM-30

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TM4100EAD9-80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：SIMM, SIM30针数：30
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.6访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：80 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XSMA-N30
内存密度：37748736 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：9功能数量：1
端口数量：1端子数量：30
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX9
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：SIMM封装等效代码：SIM30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：20.447 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.009 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：2.54 mm
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

TM4100EAD9-80 数据手册

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TM4100EAD9  
4194304 BY 9-BIT  
DYNAMIC RAM MODULE  
SMMS419C – NOVEMBER 1991 – REVISED JUNE 1995  
Organization . . . 4194304 × 9  
SINGLE IN-LINE MODULE  
(TOP VIEW)  
Single 5-V Power Supply (±10% Tolerance)  
30-Pin Single In-Line Memory Module  
(SIMM) for Use With Sockets  
Utilizes Nine 4-Megabit Dynamic RAMs in  
Plastic Small-Outline J-Lead Packages  
(SOJs)  
V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
CC  
CAS  
DQ1  
A0  
Long Refresh Period  
16 ms (1024 Cycles)  
A1  
DQ2  
A2  
All Inputs, Outputs, and Clocks Fully TTL  
Compatible  
A3  
SS  
V
DQ3  
A4  
3-State Outputs  
Performance Ranges:  
A5  
DQ4  
A6  
ACCESS ACCESS ACCESS READ  
TIME  
(t  
TIME  
TIME  
(t  
OR  
A7  
)
(t  
CAC)  
)
WRITE  
CYCLE  
(MIN)  
RAC  
AA  
DQ5  
A8  
A9  
(MAX)  
’4100EAD9-60 60 ns  
’4100EAD9-70 70 ns  
’4100EAD9-80 80 ns  
(MAX)  
15 ns  
18 ns  
20 ns  
(MAX)  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
A10  
DQ6  
W
V
DQ7  
NC  
110 ns  
130 ns  
150 ns  
SS  
Common CAS Control for Eight Common  
Data-In and Data-Out Lines  
DQ8  
Q9  
Separate CAS Control for One Separate  
Pair of Data-In and Data-Out Lines  
RAS  
CAS9  
D9  
Low Power Dissipation  
V
CC  
Operating Free-Air Temperature Range  
0°C to 70°C  
description  
The TM4100EAD9 is a dynamic random-access  
memory module organized as 4194304 × 9 [bit  
nine (D9, Q9) is generally used for parity and is  
controlled by CAS9] in a 30-pin leadless single  
in-line memory module (SIMM).  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A10  
Address Inputs  
CAS, CAS9  
DQ1–DQ8  
D9  
Column-Address Strobe  
Data In/Data Out  
Data In  
This module is composed of nine TMS44100DJ,  
4194304 × 1-bit dynamic RAMs (DRAMs) each in  
a 20/26-lead plastic small-outline J-lead package  
(SOJ) mounted on a substrate with decoupling  
capacitors.  
NC  
No Internal Connection  
Data Out  
Q9  
RAS  
Row-Address Strobe  
5-V Supply  
V
V
CC  
Ground  
SS  
W
Write Enable  
The TM4100EAD9 is characterized for operation  
from 0°C to 70°C and is available in the AD  
single-sided, leadless module for use with  
sockets.  
Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...10

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