5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TM4100EAD9-80
TM4100EAD9-80 PDF预览

TM4100EAD9-80

更新时间： 2024-02-16 02:19:14
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 792K
描述
4MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIMM-30

阅读下载

获取价格

TM4100EAD9-80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：SIMM, SIM30针数：30
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.6访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：80 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XSMA-N30
内存密度：37748736 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：9功能数量：1
端口数量：1端子数量：30
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX9
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：SIMM封装等效代码：SIM30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：20.447 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.009 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：2.54 mm
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

TM4100EAD9-80 数据手册

 浏览型号TM4100EAD9-80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TM4100EAD9-80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TM4100EAD9-80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TM4100EAD9-80的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TM4100EAD9-80的Datasheet PDF文件第9页浏览型号TM4100EAD9-80的Datasheet PDF文件第10页 
TM4100EAD9  
4194304 BY 9-BIT  
DYNAMIC RAM MODULE  
SMMS419C – NOVEMBER 1991 – REVISED JUNE 1995  
timing requirements over recommended ranges of supply voltage and operating free-air  
temperature  
’4100EAD9-60  
’4100EAD9-70  
’4100EAD9-80  
UNIT  
MIN  
110  
40  
MAX  
MIN  
130  
45  
MAX  
MIN  
150  
50  
MAX  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Cycle time, random read or write (see Note 7)  
Cycle time, page-mode read or write (see Note 8)  
Pulse duration, page mode RAS low (see Note 9)  
Pulse duration, nonpage mode, RAS low (see Note 9)  
Pulse duration, CAS low (see Note 10)  
Pulse duration, CAS high  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RC  
PC  
60 100 000  
70 100 000  
80 100 000  
RASP  
RAS  
CAS  
CP  
60  
15  
10  
40  
15  
0
10 000  
10 000  
70  
18  
10  
50  
15  
0
10 000  
10 000  
80  
20  
10  
60  
15  
0
10 000  
10 000  
Pulse duration, RAS high (precharge)  
Pulse duration, write  
RP  
WP  
Setup time, column address before CAS low  
Setup time, row address before RAS low  
Setup time, data (see Note 11)  
ASC  
ASR  
DS  
0
0
0
0
0
0
Setup time, read before CAS low  
0
0
0
RCS  
CWL  
RWL  
WCS  
WSR  
WTS  
CAH  
DHR  
DH  
Setup time, W low before CAS high  
15  
15  
0
18  
18  
0
20  
20  
0
Setup time, W low before RAS high  
Setup time, W low before CAS low (early-write operation only)  
Setup time, W high (CBR refresh only)  
Setup time, W low (test mode only)  
10  
10  
10  
50  
10  
50  
10  
0
10  
10  
15  
55  
15  
55  
10  
0
10  
10  
15  
60  
15  
60  
10  
0
Hold time, column address after CAS low  
Hold time, data after RAS low (see Note 12)  
Hold time, data (see Note 10)  
Hold time, column address after RAS low (see Note 12)  
Hold time, row address after RAS low  
Hold time, read after CAS high (see Note 13)  
Hold time, read after RAS high (see Note 13)  
Hold time, write after CAS low (early-write operation only)  
Hold time, write after RAS low (see Note 12)  
Hold time, W high (CBR refresh only)  
AR  
RAH  
RCH  
RRH  
WCH  
WCR  
WHR  
WTH  
0
0
0
15  
50  
10  
10  
15  
55  
10  
10  
15  
60  
10  
10  
Hold time, W low (test mode only)  
t
t
t
t
Delay time, RAS low to CAS high (CBR refresh only)  
Delay time, CAS high to RAS low  
15  
0
15  
0
20  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
CHR  
CRP  
CSH  
CSR  
Delay time, RAS low to CAS high  
60  
10  
70  
10  
80  
10  
Delay time, CAS low to RAS low (CBR refresh only)  
NOTES: 7. All cycle times assume t = 5 ns.  
T
ASC  
RWD  
CWD  
8. To assure t  
9. In a read-write cycle, t  
10. In a read-write cycle, t  
min, t  
should be ≥ 5 ns.  
PC  
and t  
and t  
must be observed.  
must be observed.  
RWL  
CWL  
11. Referenced to the later of CAS or W in write operations  
12. The minimum value is measured when t  
is set to t min as a reference.  
RCD  
RCD  
must be satisfied for a read cycle.  
13. Either t  
RRH  
or t  
RCH  
6
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1...45678910

下载PDF

与TM4100EAD9-80相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TM4100EBD9-80 TI 4MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIP-30

获取价格
TM4100GAD8 TI 4194304 BY 8-BIT DRAM MODULE

获取价格
TM4100GAD8-60 TI 4194304 BY 8-BIT DRAM MODULE

获取价格
TM4100GAD8-70 TI 4194304 BY 8-BIT DRAM MODULE

获取价格
TM4103M ETC 10/100 BASE-TX QUAD PORT TRANSFORMER MODULES

获取价格
TM41-12 TRUMPOWER 30-40 WATT MEDICAL POWER SUPPLIES

获取价格

与TM4100EAD9-80相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证