是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SOP, |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.62 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 最小共模抑制比: | 63 dB |
标称共模抑制比: | 77 dB | 最大输入失调电压: | 2000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 座面最大高度: | 1.75 mm |
标称压摆率: | 2 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 0.15 mA | 供电电压上限: | 6 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 1000 kHz |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TLV9002IDSGR | TI |
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适用于成本优化型应用的双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 | DSG | 8 | |
TLV9002IDSGT | TI |
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适用于成本优化型应用的双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 | DSG | 8 | |
TLV9002IPWR | TI |
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适用于成本优化型应用的双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 | PW | 8 | | |
TLV9002-Q1 | TI |
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TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems | |
TLV9002-Q1_V01 | TI |
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TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier | |
TLV9002QDGKRQ1 | TI |
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TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier | |
TLV9002QDRQ1 | TI |
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TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier | |
TLV9002SIDGSR | TI |
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适用于成本优化型应用的双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 | DGS | 10 | |
TLV9002SIRUGR | TI |
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适用于成本优化型应用的双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 | RUG | 10 | |
TLV9002SIYCKR | TI |
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TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems |