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TLV2314IDGKR

更新时间： 2024-11-30 11:11:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	1570K
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Dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier \| DGK \| 8 \| -40 to 125

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TLV2314IDGKR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSSOP-8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.73
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	最小共模抑制比：	72 dB
标称共模抑制比：	96 dB	最大输入失调电压：	3000 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	2	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	座面最大高度：	1.1 mm
标称压摆率：	1.5 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	0.5 mA	供电电压上限：	7 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
标称均一增益带宽：	3000 kHz	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

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TLV314, TLV2314, TLV4314

ZHCSEU4A –MARCH 2016–REVISED MARCH 2016

TLVx314 3MHz、低功耗、

内部 EMI 滤波器、RRIO 运算放大器

1 特性

3 说明

•

低偏移电压：0.75mV（典型值）

TLV314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表

了新一代的低功耗、通用运算放大器。该系列器件具有

轨到轨输入和输出摆幅 (RRIO)、低静态电流（5V 时的

典型值为 150μA/通道）以及 3MHz 的高带宽等特性。

对于电池供电应用而言，一般要求性能和成本良好均

衡，此类放大器非常具有吸引力。此外，TLV314 系

列架构可实现低至 1pA 的输入偏置电流，因此适用于

源阻抗高达兆欧姆级别的应用。

低输入偏置电流：1pA（典型值）

宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V

轨到轨输入和输出

增益带宽：3MHz

低 I_Q：250µA/通道（最大值）

低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz

内部射频 (RF) / 电磁干扰 (EMI) 滤波器

扩展温度范围： -40°C 至 +125°C

TLV314 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员

使用：单位增益稳定，具有 RRIO 和集成的 RF/EMI

抑制滤波器，容性负载最高达 300 pF，在过驱情况下

不出现反相，并且带有高静电放电 (ESD) 保护（4kV

HBM）。

2 应用

•

白色家电

手持测试设备

便携式血糖仪

远程感测

此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V

(±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C

的扩展工业温度范围内额定运行。

有源滤波器

工业自动化

电池供电型电子产品

TLV314（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶

体管 (SOT)-23 封装。TLV2314（双通道）采用 8 引脚

小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和超薄小外形尺寸

(VSSOP) 封装。四通道 TLV4314 采用 14 引脚薄型小

外形尺寸 (TSSOP) 封装。

器件信息⁽¹⁾

电磁干扰抑制比 (EMIRR) 与频率间的关系

120

110

100

器件型号

TLV314

封装

SOT-23 (5)

封装尺寸（标称值）

2.90mm × 1.60mm

2.00mm × 1.25mm

3.00mm × 3.00mm

4.90mm x 3.91mm

SC70 (5)

VSSOP (8)

SOIC (8)

TLV2314

TLV4314

薄型小外形尺寸封装

(TSSOP) (14)

5.00mm x 4.40mm

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

10M

100M

Frequency (Hz)

10G

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SBOS754

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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TLV2314IDR	TI	获取价格	Dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier \| D \| 8 \| -40 to 125
TLV2314-Q1	TI	获取价格	汽车级、双路、5.5V、3MHz、RRIO 运算放大器
TLV2314QDRQ1	TI	获取价格	Automotive-grade, dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier \| D \| 8 \| -40 to 125
TLV2316	TI	获取价格	双路、5.5V、10MHz、RRIO 运算放大器
TLV2316IDGKR	TI	获取价格	Dual, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier \| DGK \| 8 \| -40 to 125
TLV2316IDGKT	TI	获取价格	Dual, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier \| DGK \| 8 \| -40 to 125
TLV2316IDR	TI	获取价格	Dual, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier \| D \| 8 \| -40 to 125
TLV2316-Q1	TI	获取价格	汽车级、双路、5.5V、10MHz、RRIO 运算放大器
TLV2316QDGKRQ1	TI	获取价格	Automotive-grade, dual, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier \| DGK \| 8 \| -40 to 125

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