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TLC252CD

更新时间： 2024-09-12 22:35:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
21页 331K
描述
LinCMOSE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

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TLC252CD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.1Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.00006 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00006 µA
最小共模抑制比：65 dB标称共模抑制比：80 dB
频率补偿：YES最大输入失调电流 (IIO)：0.00006 µA
最大输入失调电压：12000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.9 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：NO湿度敏感等级：1
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：260功率：NO
电源：1.4/16 V可编程功率：NO
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
标称压摆率：3.6 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：4.4 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：1700 kHz
最小电压增益：10000宽带：NO
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

TLC252CD 数据手册

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TLC252, TLC252A, TLC252B, TLC252Y, TLC25L2, TLC25L2A, TLC25L2B  
TLC25L2Y, TLC25M2, TLC25M2A, TLC25M2B, TLC25M2Y  
LinCMOS DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS  
SLOS002G – JUNE 1983 – REVISED AUGUST 1996  
D OR P PACKAGE  
A-Suffix Versions Offer 5-mV V  
IO  
(TOP VIEW)  
B-Suffix Versions Offer 2-mV V  
IO  
Wide Range of Supply Voltages  
1.4 V to 16 V  
1OUT  
1IN–  
1IN+  
/GND  
V
DD  
1
2
3
4
8
7
6
5
2OUT  
2IN–  
2IN+  
True Single-Supply Operation  
V
DD–  
Common-Mode Input Voltage Includes the  
Negative Rail  
Low Noise . . . 30 nV/√Hz Typ at f = 1 kHz  
(High-Bias Versions)  
symbol (each amplifier)  
description  
+
IN+  
IN–  
The TLC252, TLC25L2, and TLC25M2 are  
low-cost, low-power dual operational amplifiers  
designed to operate with single or dual supplies.  
These devices utilize the Texas Instruments  
OUT  
–
silicon gate LinCMOS process, giving them stable input offset voltages that are available in selected grades  
of 2, 5, or 10 mV maximum, very high input impedances, and extremely low input offset and bias currents.  
Because the input common-mode range extends to the negative rail and the power consumption is extremely  
low, this series is ideally suited for battery-powered or energy-conserving applications. The series offers  
operation down to a 1.4-V supply, is stable at unity gain, and has excellent noise characteristics.  
These devices have internal electrostatic-discharge (ESD) protection circuits that prevent catastrophic failures  
at voltages up to 2000 V as tested under MIL-STD-883C, Method 3015.1. However, care should be exercised  
in handling these devices as exposure to ESD may result in a degradation of the device parametric  
performance.  
AVAILABLE OPTIONS  
PACKAGED DEVICES  
V
max  
CHIP FORM  
(Y)  
IO  
T
A
SMALL OUTLINE  
(D)  
PLASTIC DIP  
(P)  
AT 25°C  
TLC252Y  
10 mV  
5 mV  
2 mV  
TLC252CD  
TLC252ACD  
TLC252BCD  
TLC252CP  
TLC252ACP  
TLC252BCP  
—
—
TLC25L2Y  
10 mV  
5 mV  
2 mV  
TLC25L2CD  
TLC25L2ACD  
TLC25L2BCD  
TLC25L2CP  
TLC25L2ACP  
TLC25L2BCP  
—
—
0°C to 70°C  
10 mV  
5 mV  
2 mV  
TLC25M2CD  
TLC25M2ACD  
TLC25M2BCD  
TLC25M2CP  
TLC25M2ACP  
TLC25M2BCP  
TLC25M2Y  
—
—
The D package is available taped and reeled. Add the suffix R to the device type (e.g., TLC252CDR). Chips are  
tested at 25°C.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1996, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...21

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TLC252CD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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