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TK60A08J1 PDF预览

TK60A08J1

更新时间： 2024-02-11 19:49:28
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 稳压器开关
页数 文件大小 规格书
6页 184K
描述
Switching Regulator Application

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TK60A08J1 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.35雪崩能效等级（Eas）：498 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.0093 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK60A08J1 数据手册

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TK60A08J1  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
= ±16 V, V = 0 V  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
⎯
⎯
75  
60  
1.1  
⎯
⎯
60  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
±10  
10  
⎯
μA  
μA  
GSS  
GS  
DS  
DS  
Drain cut-OFF current  
I
= 75 V, V  
= 0 V  
= 0 V  
DSS  
GS  
GS  
GS  
V
V
I
I
= 10 mA, V  
= 10 mA, V  
⎯
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
Drain-source breakdown voltage  
V
= -20 V  
⎯
⎯
Gate threshold voltage  
V
V
V
V
V
= 10 V, I = 1 mA  
⎯
2.3  
9.3  
7.8  
⎯
V
mΩ  
S
th  
DS  
GS  
GS  
DS  
D
= 4.5 V, I = 30A  
7.1  
6.2  
120  
5450  
320  
1260  
D
Drain-source ON resistance  
R
DS (ON)  
= 10 V, I = 30A  
D
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
⎪Y ⎪  
fs  
= 10 V, I = 30 A  
D
C
C
⎯
iss  
V
= 10V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
⎯
DS  
rss  
C
⎯
oss  
Rise time  
t
r
⎯
⎯
⎯
⎯
5
⎯
⎯
⎯
⎯
10 V  
I = 30 A  
D
V
GS  
0 V  
V
OUT  
Turn-ON time  
Switching time  
t
20  
15  
96  
on  
R
L
= 1 Ω  
ns  
Fall time  
t
f
∼
V
30 V  
DD  
Duty ≤ 1%, t = 10 μs  
w
Turn-OFF time  
t
off  
∼
−
V
60 V, V  
60 V, V  
= 5 V, I = 60A  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
48  
86  
16  
20  
27  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
DD  
GS  
GS  
D
Total gate charge  
(gate-source plus gate-drain)  
Qg  
∼
−
V
= 10 V, I = 60A  
DD  
D
nC  
Gate-source charge 1  
Gate-drain (“miller”) charge  
Gate switch charge  
Q
gs1  
∼
−
V
60 V, V  
= 10 V, I = 60A  
Q
DD  
GS  
D
gd  
QSW  
Source-Drain Ratings and Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Continuous drain reverse current (Note 1)  
I
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
60  
240  
−1.2  
⎯
A
A
DR  
Pulse drain reverse current  
Forward voltage (diode)  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
(Note 1)  
I
DRP  
V
I
I
= 60 A, V  
= 60 A, V  
= 0 V  
−0.9  
63  
V
DSF  
DR  
DR  
GS  
GS  
t
= 0 V,  
ns  
nC  
rr  
dI /dt = 50 A/μs  
DR  
Q
63  
⎯
rr  
Marking  
Note 4: A line under a Lot No. identifies the indication of product  
Labels.  
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV  
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]  
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to  
environmental matters such as the RoHS compatibility of Product.  
The RoHS is the Directive 2002/95/EC of the European Parliament  
and of the Council of 27 January 2003 on the restriction of the use of  
certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.  
K60A08J  
1
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
Note 4  
2
2009-09-29  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TK60D08J1 TOSHIBA

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