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TJ8S06M3L

更新时间： 2024-09-18 12:05:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		驱动器转换器稳压器开关电机
页数	文件大小	规格书
9页	247K
描述
Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators

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TJ8S06M3L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.52	雪崩能效等级（Eas）：	19 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	27 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TJ8S06M3L 数据手册

TJ8S06M3L

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

TJ8S06M3L

1. Applications

•

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -60 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Drain (heatsink)

3: Source

DPAK+

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

-60

-20/+10

-8

(Note 1)

IDP

-16

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

-8

Channel temperature

Storage temperature

(Note 3)

Tch

Tstg

175



-55 to 175

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-02-02

Rev.4.0

12 3 4 5 6 7...9

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与TJ8S06M3L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET P-CH 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TJ9	VISHAY	获取价格	Inductors Toroid, High Current
TJ9038T	PANASONIC	获取价格	Single Phase EMI Filter,
TJ9039T	PANASONIC	获取价格	Single Phase EMI Filter,
TJ9040T	PANASONIC	获取价格	Single Phase EMI Filter,
TJ9041T	PANASONIC	获取价格	Single Phase EMI Filter,
TJ9042T	PANASONIC	获取价格	Single Phase EMI Filter,
TJ9043T	PANASONIC	获取价格	Single Phase EMI Filter,
TJ90S04M3L	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -40 V, -90 A, 0.0043 Ω@10V, DPAK
TJ91U1.515%	VISHAY	获取价格	General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.44 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR

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