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TIP125G

更新时间： 2024-11-23 04:28:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

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TIP125G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.21
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227250Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220 CASE221A-09Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP125G 数据手册

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TIP120, TIP121, TIP122  
(NPN); TIP125, TIP126,  
TIP127 (PNP)  
Preferred Devices  
Plastic Medium−Power  
Complementary Silicon  
Transistors  
http://onsemi.com  
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching  
applications.  
DARLINGTON  
5 AMPERE  
Features  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60−80−100 VOLTS, 65 WATTS  
• High DC Current Gain −  
h
= 2500 (Typ) @ I  
= 4.0 Adc  
FE  
C
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc  
V
= 60 Vdc (Min) − TIP120, TIP125  
= 80 Vdc (Min) − TIP121, TIP126  
= 100 Vdc (Min) − TIP122, TIP127  
MARKING  
DIAGRAM  
CEO(sus)  
4
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
TO−220AB  
TIP12xG  
AYWW  
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors  
• Pb−Free Packages are Available*  
CASE 221A  
STYLE 1  
1
2
3
TIP12x = Device Code  
x
A
Y
= 0, 1, 2, 5, 6, or 7  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
September, 2005 − Rev. 6  
TIP120/D  
1234567

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TIP125G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP125 ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TIP32CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP41CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与TIP125G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP125J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP125L MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP125N MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP125PNP CDIL

获取价格

 		PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP125S MOTOROLA

获取价格

 		5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP125T MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
TIP125TU ONSEMI

获取价格

 		Medium Power PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 1000-TUBE
TIP125TU FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Darlington Transistor, TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB, 1000/RAIL
TIP125W MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP126 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear Switching Applications

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