TIP112

更新时间： 2024-11-04 04:28:27

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描述
Darlington Power Transistors (NPN)

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TIP112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP112 数据手册

Darlington Power Transistors (NPN)

TIP110/111/112

Darlington Power Transistors (NPN)

Features

• Designed for general-purpose amplifier and low speed

switching applications

• RoHS Compliant

TO-220

Mechanical Data

Case:

Terminals:

Weight:

TO-220, Plastic Package

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

0.08 ounces, 2.24 grams

Maximum Ratings (T _Ambient=25ºC unless noted otherwise)

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Description

Collector-Base Voltage

TIP110

TIP111

TIP112

100

Unit

Collector-Emitter Voltage

100

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current Continuous

2.0

Collector Current Peak

4.0

ICM

Base Current

Power Dissipation upto TC=25°C

Power Dissipation upto TA=25°C

Power Dissipation Derate above TA=25°C

Thermal Resistance from Junction to Ambient in Free Air

Thermal Resistance from Junction to Case

Operating Junction and Storage Temperature Range

2.0

mW/° C

° C /W

° C

62.5

2.5

RθJA

RθJC

-65 to +150

TJ, TSTG

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com

Rev. A/AH 2008-06-13

Page 1 of 4

Tel: (800)-TAITRON (800)-824-8766

Fax: (800)-TAITFA (800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

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